TSMCで進行中の微細化研究＆ロードマップ
ＴＳＭＣの微細化技術研究に関する方針
ＴＳＭＣは、技術面でのリーダーシップを維持・強化するため、今後も研究開発投資を積極的に行っていく予定です。
先端 CMOS ロジックについては、3nm および 2nm の CMOS ノードが引き続きパイプラインで進行しています。
微細化により、2nmノードを超える新たな領域や、3Dトランジスタ、新メモリ、低R配線などの領域に重点を置いた探索的研究開発を強化しており、技術プラットフォームへの投入に向けた強固な基盤の確立に向けて軌道に乗っています。
3D ICのアドバンスト・パッケージングについては、エネルギー効率の高いサブシステムの統合とスケーリングのためのイノベーションを開発しており、CMOSロジック・アプリケーションをさらに強化しています。
5GやスマートIoTアプリケーションをターゲットとしたRFや3Dインテリジェントセンサーなどの新しい特殊技術への注力を強化しています。
2017年に設立されたコーポレート・リサーチ機能は、8年から10年を超えた長期的な視点で、新規材料、プロセス、デバイス、ナノワイヤ、メモリに引き続き注力しています。
また、ムーアの法則を拡張し、顧客のために将来の費用対効果の高い技術や製造ソリューションへの道を切り開くことを目標に、学界や業界コンソーシアムなどの外部研究機関との連携も継続しています。
非常に有能で献身的なR&Dチームとイノベーションへの揺るぎないコミットメントにより、TSMCは、最高で最もコスト効率の高いSoC技術を顧客に提供し、将来のビジネス成長と収益性を長年にわたって推進する能力に自信を持っています。
TSMCで進行中のロードマップ一覧
■3nmロジック技術のプラットフォームとアプリケーション(〜2021)
SoC向け第6世代3D CMOSテクノロジープラットフォーム
■3nmを超える微細化のプラットフォームとアプリケーション(〜2023)
より微細化された次世代SoC向け3D CMOSテクノロジープラットフォーム
■3D IC(〜2021)
システム・イン・パッケージ(SiP)のためのより優れたフォーム・ファクタと性能を備えたコスト効率の高いソリューション
■次世代リソグラフィー(〜2021)
ムーアの法則を拡張するEUVリソグラフィーと関連するパターニング技術
■中長期研究計画(〜2026)
特殊SoC技術（新しいNVM、MEMS、RF、アナログを含む）と8～10年後の地平線を見据えたトランジスタ
出典：TSMC(https://www.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/future_rd)
参考：2025年の半導体は「2nm」世代へ、TSMCが研究開発開始の報道。微細化技術で他社を先行(https://engadget.com)